全球首创！九峰山实验室氮化镓材料制备领域新突破：键合界面良率超99%
|
|
来源：快科技 更新时间：2025-03-24 14:51:38 [我要投稿] |
| 据报道，九峰山实验室科研团队近日取得重大突破，成功在全球范围内首次实现了8英寸硅基氮极性氮化镓（N-polar GaNOI）高电子迁移率材料的制备。这一里程碑式的成果不仅打破了国际技术垄断，更为射频前端等系统级芯片在频率、效率、集成度等方面的提升提供了强有力的 ...[查看原文] |
索引页声明：
本页面仅提供原文索引，请点击原文链接查看详细内容。
如链接失效请联系：0571-28068180,28068199,28068187，我们将在第一时间处理。 |
|
太阳能光伏：